单向双向可控硅知识大全

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双向可控硅" target="_blank" href="#">单向双向可控硅 ,概述:

单向双向可控硅为具有三个PN结的四层结构,由*外层的P层。N层引出两个电极——阳极A和阴极K。由中间的P层引出控制极G。电路符号大全花样符号好像为一只两极管,但好多一个引出电极——控制极或触发极G。英文缩写名称为SCR或MCR。

双向可控硅是可控的硅整流器价格,其整流输出电压是受控的。常与移相或过零触发电路配合。应用来交,直流调压电路。双向可控硅是在晶体管ff200r12ks4基础上发展起来的一种合二而一式半导体激光治疗仪器件。
单向双向可控硅的等效原理及测量电路如下:

单向双向可控硅 ,原理:

双向可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件,公有三个PN结。可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成。

当阳极A加上正向电压时,BG1和BG2管均处于推广状态。如果从控制极G输入一个正向触发信号,BG2便有基流ib2别让眼泪流过夜全集,经BG2推广,其集电极开路输出电流ic2=β2ib2。因为BG2的集电极开路输出直接与BG1的基极相连。所以ib1=ic2。
电流ic2再经BG1推广,所以BG1的集电极开路输出电流ic1=β1ib1=β1β2ib2。这个电流又流回到BG2的基极,表成正反馈,使ib2不断附加,如此正向馈循环的结果,两个管子的电流有增无已,双向可控硅使饱和导通。

由于BG1和BG2所构成的正反馈作用。所以一旦双向可控硅导通后,即使控制极G的电流消失了,双向可控硅仍然亦可维持导通状态。由于触发信号只起触发作用。没有关断功能,所以这种双向可控硅是不可关断的。

由于双向可控硅只有导通和关断两种工作状态。所以它具有xpj9棋牌网页版特性。这种特性要求一定的条件才能转化。

从控制原理上可等效为一只PNP集电极开路输出与一只NPN集电极开路输出的连接电路。两管的基极电流和集电极开路输出电流并行通路。具有强烈的正反反馈作用。一旦从G,K回路输入NPN管子的基极电流,由于正反馈作用,两管将立地进入饱合导通状态。双向可控硅它的导通状态完全依靠管子本人的正反馈作用来维持,即使控制电流(电压)消失,双向可控硅仍处于导通状态。控制信号UGK的作用仅仅是触发双向可控硅使其导通,控制信号便失去控制作用。

 

单向双向可控硅 ,导通条件:

单向双向可控硅的导通要求两个条件:
A,K之间加正向电压;
G,K之间输入一个正向触发电流信号,无论是直流或脉冲除尘器信号。
若欲使双向可控硅关断,也有两个关断条件:
使正龙之向导外贸网站通电流表的分度值小于其工作维持电流表的分度值;
K之间电压反向。
可见,双向可控硅器件若用来直流电路,一旦为触发信号通情达理。并保持一定幅度的商品流通电流的话。则双向可控硅会一直保持通情达理状态。除非将电源开断一次,才能使其关断。若用来光电路。则在其承受正向电压期间,若吸收一个触发信号。则一直保持导通,以至于电压过零点到来,因货运通电流而自行关断。在承受反向电压期间,即使送入触发信号,双向可控硅也因A,K间电压反向,而保持于截止状态。

单向双向可控硅 ,调压电路:

双向可控硅交流调压器由可控整流电路和触发电路两部分组成,其电路原里图如下图所示。 从图中亦可,两极管D1—D4组成桥式整流电路,双基极两极管T1构成张弛振荡器原理作为双向可控硅的同步触发电路。当调压器接上市电后。220V光电通过负载电阻RL经两极管D1—D4整流。在双向可控硅SCR的A,K两端形成一个脉动直流电压,该电压由电阻R1降压后作为触发电路的220v转12v直流电源。在光电的正半周时。整流电压通过R4,W1对电容C充电。当充电电压Uc达到T1管的峰值电压Up时,T1管由截止变为导通,所以电容C通过T1管的e,b1结和R2迅速放热,结果在R2上获得一个尖脉冲除尘器。这个脉冲除尘器作为控制信号送到双向可控硅SCR的控制极, 使双向可控硅导通。双向可控硅导通后的管压降很低。一般而言小于1V,所以张弛振荡器原理停止工作。当光电通过零点时,双向可控硅自关断。当光电在负半周时,电容C又从新充电……如此大循环,便可调整负载RL上的功率了。

单向双向可控硅 ,触发家装电路设计原理:

1,可以用直流触发双向可控硅装置。
2,电压交流电的有效值等于 U 等于开方{(电流交流电的有效值除以 2 派的值乘以 SIN 二倍电阻)加上(派减去电阻的差除 以派)}。
3,电流等于电压除以(电压波形的非正弦波幅值半波整流的两倍值)。

 

单向双向可控硅 ,细大不捐图解:

双向可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件,公有三个PN结,可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成,其等效图解如图1所示.

当阳极A加上正向电压时。BG1和BG2管均处于推广状态。如果从控制极G输入一个正向触发信号。BG2便有基流ib2别让眼泪流过夜全集。经BG2推广,其集电极开路输出电流ic2=β2ib2。因为BG2的集电极开路输出直接与BG1的基极相连,所以ib1=ic2。电流ic2再经BG1推广,所以BG1的集电极开路输出电流ic1=β1ib1=β1β2ib2。这个电流又流回到BG2的基极,表成正反馈,使ib2不断附加。如此正向馈循环的结果,两个管子的电流有增无已,双向可控硅使饱和导通。

由于BG1和BG2所构成的正反馈作用,所以一旦双向可控硅导通后,即使控制极G的电流消失了,双向可控硅仍然亦可维持导通状态,由于触发信号只起触发作用。没有关断功能,所以这种双向可控硅是不可关断的。

双向可控硅的基本伏安特性见图2.

(1)反向特性

当控制极开路。阳极加上反向电压时(见图J2结正偏,但J1。J2结反偏。此时只能别让眼泪流过夜全集很小的反向饱和电流,当电压进而提高到J1结的山崩击穿电压后,接差J3结也击穿,电流迅速增加。图3的特性开始弯曲,如特性OR段所示。弯曲处的电压URO叫“反向转折电压”。双向可控硅会发生**性反向。

(2)正向特性

当控制极开路,阳极上加上正向电压时(见图4)。J1,J3结正偏,但J2结反偏,这与普通PN结的反向特性相似。也只能别让眼泪流过夜全集很小电流,这叫正向阻断状态,图3的特性发生了弯曲,如特性OA段所示,弯曲处的是UBO叫:正向转折电压


由于电压升高到J2结的山崩击穿电压后,J2结发生山崩双增长效应,在结区产生大量的电子和空穴,电子时入N1区。空穴时入P2区。进入N1区的电子与由P1区通过J1结注入N1区的空穴复合,同等。进入P2区的空穴与由N2区通过J3结注入P2区的电子复合,山崩击穿。进入N1区的电子与进入P2区的空穴各自不能全部复合掉,在N1区就电子商务有哪些课程积累,在P2区就有空穴积累,结果使P2区的电位升高。N1区的电位下降。J2结变成正偏,只要电流稍增加,电压便迅速下降。产出所谓负阻特性,见图3的虚线AB段。

J3三个结均处于正偏,双向可控硅便进入正龙之向导外贸网站电状态---通态。它的特性与普通的PN结正向特性相似,见图2中的BC段

3,触发导通

在控制极G上加入正向电压时(见图5)因J3正偏。P2区的空穴时入N2区,N2区的电子进入P2区,形成触发电流IGT。在双向可控硅的内部正反馈作用(见图2)的基础上,加上IGT的作用,使双向可控硅提前导通,导致图3的伏安特性OA段左移,IGT越大,特性左移越快。

由于电压升高到J2结的山崩击穿电压后,J2结发生山崩双增长效应,在结区产生大量的电子和空穴,电子时入N1区,空穴时入P2区。进入N1区的电子与由P1区通过J1结注入N1区的空穴复合,同等,进入P2区的空穴与由N2区通过J3结注入P2区的电子复合。山崩击穿。进入N1区的电子与进入P2区的空穴各自不能全部复合掉,在N1区就电子商务有哪些课程积累,在P2区就有空穴积累,结果使P2区的电位升高,N1区的电位下降。J2结变成正偏,只要电流稍增加,电压便迅速下降,产出所谓负阻特性,见图3的虚线AB段。

J3三个结均处于正偏,双向可控硅便进入正龙之向导外贸网站电状态---通态,它的特性与普通的PN结正向特性相似,见图2中的BC段

3,触发导通

在控制极G上加入正向电压时(见图5)因J3正偏,P2区的空穴时入N2区,N2区的电子进入P2区,形成触发电流IGT。在双向可控硅的内部正反馈作用(见图2)的基础上,加上IGT的作用,使双向可控硅提前导通,导致图3的伏安特性OA段左移,IGT越大,特性左移越快。

 

单向双向可控硅 。器件的检测:

  用钳表粗测双向可控硅的好坏。用电阻x1k档,正,反向测量A。K之间的电阻值,均接近无穷大卡盟;用电阻x10Ω档测量G。K之间的电阻,从十几欧姆至百欧姆,功率越大欧姆值越小。正,反向电阻值相等或差异极小。说明双向可控硅的G,K并不像一般而言集电极开路输出的射击结。有明显的正,反向电阻的差异。这种测量方式是有绩效考核的局限性的,K之间已呈故障开路状态时,则无法测出好坏。K间电阻值极小。也难以识别两控制极是否已经短路。
    较为准确的测量方法。是如图1中的右图,为双向可控硅连接上电源和负载。才能得出好坏的结论。方法是:将双向可控硅接入电路,双向可控硅因无触发信号输入,小灯泡HL1无电商品流通路不发光;将A。G短接一下再断开,双向可控硅受触发而导通,并能维持导通(灯泡的原定电流应超越100mA),灯泡一直发光,以至于断开电源。再连缀电源时,灯泡不亮。双向可控硅器件差不多是好的。
    双向可控硅有以下几种损坏情况:
    a,A,K极间短路或断路;b,G,A极间短路或断路;c,三个电极之间的短路。
    还有一种损坏情况很让人迷离(这种状态当然极为少见),用如上1,2种检测方法检测,双向可控硅是好的,但接纳光电路中,便失去可控整流作用。故障双向可控硅在未吸收触发信号前,呈开路状态,是对的。触发电流输入后,双向可控硅通情达理了。交流输入的正,负半波都一齐过去了,单向双向可控硅成了一只“交流xpj9棋牌网页版”!变频器整流电流中,若有这种情况发生。储能电容非喷液了不可。双向可控硅的这种损坏情况,不能用短路或击穿来说明了,只能说这只双向可控硅已经失效——失去整流作用了!

图2  变频器主电路的可控三相整流电路
变频器的主电路的整流电路中,往往采用恋上复仇三公主臂单向双向可控硅和下三臂整流两极管组成的三相可控整流电路。以代替充电接触器实现上电瞬间对直流回路储能电容的“软充电”控制。三相可控整流电路的形式如图2所示。
**率机型的变频器,整流电路是由三只半控桥模块构成。每只模块内部,含一只整流两极管和一只单向双向可控硅器件,每只模块有三个主端子:1,交流输入端;2,双向可控硅整流正电压输出端;3,整流负输出端。还有两个触发端子,4,控制栅极引出端;5,阴极录取控制线引出端。
三相整流电路中对双向可控硅模块的测量方法:
如果是灵动整机便利店超市停电状态下。对双向可控硅模块进行测量。可采用图1中右图的面试电路。

图3  变频器主电路的双向可控硅面试电路1
    做一个面试仪:由小型6V电池1块。6V小电珠在哪1只,钳表的表笔(触碰针)一支和鳄鱼夹2只。可以组装于肥皂塑料盒或其它妥帖的壳体中,那么一只高效准确和使用方便的传菜电梯的“双向可控硅在线网速面试仪”就制作成功了!
停掉变频器的灵动整机便利店超市电源,不需将模块从电路中拆下,灵动整机便利店超市正常连接状态下,即可对双向可控硅模块进行面试了。面试步骤如下:
用鳄鱼夹连接任一只双向可控硅模块的阳极和阴极(注意电池负端的鳄鱼夹连接阴极)。触碰针不去触碰双向可控硅的栅极。小电珠在哪不亮。(这时若小电珠在哪亮,说明双向可控硅已经短路或漏电坏掉了。);
用触碰针触碰一下双向可控硅阴极后,小电珠在哪点亮(正常亮度很亮啊)。拿掉触碰针后,小电珠在哪一直亮。(此时有两种情况,触碰针与栅极接触时,小电珠在哪亮,拿掉触碰针,小电珠在哪不亮,双向可控硅内部阴极,阴极间断路损坏;触碰针接触栅极时,小电珠在哪也不亮,双向可控硅的栅极,阴极产出断路性损坏。)
3)将一只鳄鱼夹脱开连接。小电珠在哪熄灭;再连接鳄鱼夹,小电珠在哪仍不亮。以至于触碰针触碰一下栅极后,小电珠在哪点亮。
面试结束。双向可控硅是好的,面试光打屁股的过程女生中,通过小电珠在哪异常的亮/灭状态,已将双向可控硅的损坏状态,明白无误地检测出来了。
分杀我别用感情刀鳄鱼夹连接连接另两只双向可控硅模块的阳级和阴极。对其进行面试,三只双向可控硅的好坏情况便肯定了。
这种检测方法*为安全可靠,一达通操作平台。面试的精密度也较高。

变频器双向可控硅整流电路的上电检测。检测电路见下图:

图4  变频器主电路的双向可控硅面试电路2
为变频器供入380V维修电源(隔离变压器直流电阻试验提供),为了面试电压值的方便,P1端子短接线拆除(也可以不拆),在整流输出的正,负端连接两只灯泡,灯泡的功率值越大越好。用1000W的更好,面试精密度会高一些。
用两极管和电阻串接构成一二的触发电路,串两极管的目的,使双向可控硅栅极不承受反向电压。当用“触发电路”短接可控被面试双向可控硅的阳极和栅极时。会产出以下两种情况:
灯泡亮度正常。此时测量灯泡两端的直流电压值,为380×0.45=170V(半波整流值)。触发电路一直连接也没有问题,1k10W电阻无温升。连接触发电路。灯泡即显示正常亮度,断开触发电路。灯泡即灭。说明双向可控硅模块是好的;
2)连接触发电路,说明灯泡电流是通过1k10W电阻供应的,电阻有温升,不要长时间连接,以免焚毁。如果面试灯泡两端的电压,仅为几十伏。说明模块坏掉,不能被正常触发。
这种面试方法,通过灯泡的亮度来判断双向可控硅的好坏,精密度还是可以的,但面试上不如**种方法简便和安全,是带电操作的,一定要注意安全!三只模块也可以一只一只地测量。同时测量不准的。      
        

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